LED失效模式分析

LED失效模式主要有：芯片失效、封装失效、热过应力失效、电过应力失效以及装配失效，其中尤以芯片失效和封装失效最为常见。本文将就这几种主要失效模式，进行详细的分析。

(1) 芯片失效

　　芯片失效是指芯片本身失效或其它原因造成芯片失效。造成这种失效的原因往往有很多种：芯片裂纹是由于键合工艺条件不合适，造成较大的应力，随着热量积累所产生的热机械应力也随之加强，导致芯片产生微裂纹，工作时注入的电流会进一步加剧微裂纹使之不断扩大，直至器件完全失效。其次，如果芯片有源区本来就有损伤，那么会导致在加电过程中逐渐退化直至失效，同样也会造成灯具在使用过程中光衰严重直至不亮。再者，若芯片粘结工艺不良，在使用过程中会导致芯片粘结层完全脱离粘结面而使得样品发生开路失效，同样也会造成LED在使用过程中发生“死灯”现象。导致芯片粘结工艺不良的原因，可能是由于使用的银浆过期或者暴露时间过长、银浆使用量过少、固化时间过长、固晶基面被污染等。

(2) 电过应力失效

　　LED若在过电流的情况下使用(EOS)或者静电冲击损伤(ESD)了芯片，都会造成芯片开路，形成电过应力失效。例如，GaN是宽禁带材料.电阻率较高。如果使用该类芯片，在生产过程中因静电产生的感生电荷不易消失，当其累积到相当的程度时，可以产生很高的静电电压，这一电压一旦超过材料的承受能力，就会发生击穿现象并放电，使得器件失效。

(3) 封装失效

　　封装失效是指封装设计或生产工艺不当导致器件失效。封装所用的环氧树脂材料，在使用过程中会发生劣化问题，致使LED的寿命降低。这种劣化问题包括：光透过率、折射率、膨胀系数、硬度、透水性、透气性、填料性能等，其中尤以光透过率最为重要。有研究表明光的波长越短，光透过率的劣化越严重，但是对于绿光以上波长(即大于560nm)来说，这种影响并不严重。Lumileds2003年曾公布过功率LED白光器件和φ5白光器件的寿命实验曲线，19kh后，用硅树脂封装的功率器件，光通量仍可维持初始的80%，而用环氧树脂封装的对比曲线则表示在6kh后，光通量维持率仅为50%。实验表明，在芯片发光效率相同的情况下，靠近芯片的环氧树脂明显变成黄色、继而变成褐色。这种明显的退化过程，主要就是由于光照以及温升引起的环氧树脂光透过率的劣化所造成的。与此同时，在由蓝光激发黄色荧光粉发出白光的LED中，封装透镜的褐变会影响其反射性，并且使得发出的蓝光不足以激发黄色荧光粉，从而使得光效和光谱分布发生改变。

对于封装而言，还有一个影响LED寿命的重要因素就是腐蚀。在LED使用中，一般引起腐蚀的主要原因是水汽渗入了封装材料内部，导致引线变质、PCB铜线锈蚀;有时，随水汽引入的可动导电离子会驻留在芯片表面，从而造成漏电。此外，封装质量不好的器件，在其封装体内部会有大量的残留气泡，这些残留的气泡同样也会造成器件的腐蚀。

(4) 热过应力失效

　　温度一直是影响LED光学性质的重要因素，而在研究LED失效模式的时候，国内外学者考虑到将工作环境温度作为加速应力，来进行LED加速寿命实验。这是因为在LED系统热阻不变的前提下，封装引脚焊接点的温度升高，则结温也会随之升高，从而导致LED提前失效。

对不同厂商所提供的LED样品进行加速寿命实验，该实验将LED样品分别置于80、100、120℃下，使用3.2V电压驱动，并且规定当样品的光功率下降到起始值的50%时，即判定为失效。实验结果表明：高功率LED的寿命随着加速寿命实验温度的升高以及加速时间的增加而减小。在加速寿命实验中，LED结温升高会使得环氧树脂材料发生异变，从而增加了系统的热阻，使得芯片与封装之间的受热表面发生退化，最终导致封装失效。